MMBFJ309L, MMBFJ310L, SMMBFJ309L, SMMBFJ310L
http://onsemi.com
3
70
60
50
40
30
20
, SATURATION DRAIN CURRENT (mA)
-5.0 -4.0 -3.0 -2.0
-1.0 0
0
ID
- V
GS, GATE-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
I
DSS
10
70
60
50
40
30
20
10
, DRAIN CURRENT (mA)
I
D
IDSS
- V
GS, GATE-SOURCE CUTOFF VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Drain Current and Transfer
Characteristics versus Gate?Source Voltage
VDS
= 10 V
IDSS
+°C
TA
= -
°C
+°C
+°C
-°C
+150°C
+150°C
ID, DRAIN CURRENT (mA)
100 k
10 k
1.0 k
100
0.01 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100
1.0 k
100
10
1.0
, FORWARD TRANSCONDUCTANCE ( mhos)
Y
fs
μ
, OUTPUT ADMITTANCE ( mhos)
Y
os
μ
VGS(off)
= -
VGS(off)
= -
Figure 2. Common?Source Output
Admittance and Forward Transconductance
versus Drain Current
Yfs
Yfs
Yos
VGS, GATE SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 00
6.0
7.0
8.0
9.0
10
CAPACITANCE (pF)
10
7.0
4.0
1.0
0
120
96
72
48
24
, ON RESISTANCE (OHMS)
R
DS
RDS
Cgs
Cgd
Figure 3. On Resistance and Junction
Capacitance versus Gate?Source Voltage
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。
相关PDF资料
MMBFJ310
IC SWITCH RF N-CH 25V 10MA SOT23
MMBV3401LT1
DIODE TUNING SS 35V SOT23
MMBV3700LT1G
DIODE TUNING SS 200V SOT23
MMDL101T1
DIODE SCHOTTKY 7V 200MW SOD-323
MMDL301T1
DIODE SCHOTTKY 200MW 30V SOD-323
MMVL3401T1
DIODE PIN SWITCHING 35V SOD-323
MMVL3700T1G
DIODE PIN SWITCHING 200V SOD-323
MOP-AL202C-BYFY-25E-3IN
DISPLAY LCD 20X2 Y/G
相关代理商/技术参数
MMBFJ309LT1G
制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF JFET
MMBFJ309LT1G_09
制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor
MMBFJ310
功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
MMBFJ310_10
制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel RF Amplifier
MMBFJ310_Q
功能描述:射频JFET晶体管 NCh RF Transistor
RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶体管极性:N-Channel 正向跨导 gFS（最大值/最小值）: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 漏源电压 VDS:40 V 闸/源截止电压:5 V 闸/源击穿电压:40 V 最大漏极/栅极电压:40 V 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏极连续电流: 功率耗散:250 mW 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23 封装:Reel
MMBFJ310L
制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:JFET - VHF/UHF Amplifier Transistor
MMBFJ310LT1
功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel
MMBFJ310LT1G
功能描述:JFET 25V 10mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性:N-Channel 漏极电流（Vgs=0 时的 Idss）:50 mA 漏源电压 VDS:15 V 闸/源击穿电压: 漏极连续电流:50 mA 配置: 安装风格: 封装 / 箱体:SC-59 封装:Reel